کاهش ردپای توان DRAM همواره برای فروشندگانی مانند میکرون تکنولوژی (Micron Technology) حائز اهمیت بوده است، اما مراکز داده مبتنی بر هوش مصنوعی (AI) فشار بیشتری بر تولیدکنندگان حافظه وارد میکنند تا پیشرفتهای بیشتری در زمینه بهرهوری انرژی داشته باشند.
میکرون اخیراً اعلام کرده است که در حال ارسال نمونههایی از حافظه DDR5 مبتنی بر گره DRAM نسل ششم (کلاس 10 نانومتری) خود با نام 1γ (1-gamma) است. حافظه DDR5 شانزده گیگابیتی برای ارائه قابلیتهای سرعت تا 9200MT/s طراحی شده است که نسبت به نسل قبلی خود 15 درصد افزایش سرعت دارد و در عین حال با استفاده از فناوری CMOS گیت فلزی با K بالا نسل بعدی به همراه بهینهسازیهای طراحی، مصرف انرژی را 20 درصد کاهش میدهد.
پراوین وایدانادان (Praveen Vaidyanathan)، معاون ادغام فرآیند DRAM میکرون، در یک جلسه توجیهی با EE Times اظهار داشت که نسل ششم "سری یک" این شرکت، عملکرد، توان، تراکم بیت و بهبود ظرفیت را با هر گره متوالی به پیش میبرد. وی گفت افزایش عملکرد همیشه یک اولویت اصلی در هر گره جدید است، اما کاهش توان یک تمرکز بزرگ برای 1-gamma بود.
وایدانادان گفت که این بهبودهای توان از زمانی که میکرون از 1-z به 1-alpha رفت، تدریجی بوده است و هدف دستیابی به کاهش توان دو رقمی با هر گره فناوری است. وی گفت: "تلاش برای کاهش مصرف انرژی از حافظه یک تمرکز کلیدی بود و ما توانستیم بیش از 20 درصد بهبود در هر محصولی که با 1-gamme ساخته شده است در مقایسه با 1-beta ارائه دهیم."
وی افزود که این نقطه عطف به ویژه برای مراکز داده مهم است، که در عصر هوش مصنوعی بیشتر حافظه محور شدهاند، اما پلتفرمهای PC و کلاینت نیز از آن بهره میبرند. "امروزه، ما انتظار داریم که مزیت اولیه واقعاً در پلتفرمهای سرور و مراکز داده باشد."
وایدانادان گفت که استانداردهای JEDEC DDR5 یک خط پایه برای میکرون فراهم میکند تا با طراحیهای خود آن را بهبود بخشد - به ویژه هنگامی که مشتریان کمترین مصرف انرژی ممکن را میخواهند.
طراحی 1-gamma میکرون از ادغام موفقیتآمیز لیتوگرافی EUV به همراه تکنیکهای پیشرفته چند الگویی این شرکت برای دستیابی به 30 درصد افزایش در تراکم بیت بهره برده است. در همین حال، فناوری CMOS گیت فلزی با K بالا، عملکرد بهتری را برای ترانزیستورها فراهم میکند.
جیم هندی (Jim Handy)، تحلیلگر اصلی Objective Analysis، در مصاحبهای با EE Times خاطرنشان کرد که میکرون آخرین "سه بزرگ" سازنده DRAM است که به EUV روی آورده است. هندی گفت: "این شرکت دارای سابقه دیرینهای به عنوان شرکتی است که با اتخاذ نوآوریهای هوشمندانه دیگر، از تجهیزات پردازشی قدیمیتر بیشتر از هر کس دیگری استفاده میکند."
وی افزود که میکرون اولین شرکتی بود که در اوایل دهه 2000 از خودترازی دوگانه برای به تأخیر انداختن خرید اسکنرهای غوطهوری گران قیمت استفاده کرد و همین کار را با تصویرسازهای EUV انجام داد که هر کدام بیش از 100 میلیون دلار هزینه دارند.
هندی گفت که این صنعت اکنون در نسل ششم به نام "فرآیندهای 1-something" قرار دارد، که این تصور کلی را ایجاد میکند که پیشرفت بسیار کمی در کوچک شدن قالب (die shrink) حاصل میشود. وی گفت: "جزئیاتی که میکرون با این اطلاعیه منتشر کرده است، نشان میدهد که پیشرفت همچنان با سرعت خوبی در حال حرکت است، علیرغم نامگذاری گره فرآیند مبهم صنعت."
هندی همچنین خاطرنشان کرد که میکرون گفته است که بیش از 30٪ بیت بیشتر در هر ویفر با 1-gamma نسبت به 1-beta وجود دارد و به همین ترتیب با 1-beta در مقایسه با 1-alpha و 1-alpha در مقایسه با 1-z. وی گفت: "این ما را به مجموع بیش از 220٪، یا بیش از دو برابر بیت در هر ویفر بر روی 1-gamma نسبت به 1-z میرساند تا همچنان هزینهها را کاهش دهیم."
گره 1-gamma میکرون ابتدا برای DDR5 DRAM شانزده گیگابیتی آن استفاده خواهد شد و با گذشت زمان در کل مجموعه حافظه این شرکت ادغام خواهد شد.
وایدانادان گفت که نمونههای 1-gamma میکرون در طی یک تا دو فصل آینده به عنوان بخشی از برنامه فعالسازی فناوری خود برای پشتیبانی از قابلیت همکاری و کار واجد شرایط در چندین پلتفرم و بخش، به شرکای CPU و مشتریان منتخب این شرکت ارسال میشود. وی گفت: "ما معتقدیم که این به یک بخش جداییناپذیر از چگونگی راهاندازی موفقیتآمیز فناوریها و محصولات جدید تبدیل شده است."